BFP 420F E6327的供应信息|PDF资料|求购BFP 420F E6327上51电子网

BFP 420F E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：5V; 频率_转换：25GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.1dB @ 1.8GHz; 增益：19.5dB; 功率_最大：160mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，4V; 电流_集电极333Ic444（最大）：35mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：带卷 (TR)

BFP 420F E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：5V; 频率_转换：25GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.1dB @ 1.8GHz; 增益：19.5dB; 功率_最大：160mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，4V; 电流_集电极333Ic444（最大）：35mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：剪切带 (CT)

BFP 420F E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：5V; 频率_转换：25GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：1.1dB @ 1.8GHz; 增益：19.5dB; 功率_最大：160mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：60 @ 5mA，4V; 电流_集电极333Ic444（最大）：35mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：Digi-Reel®

C0603C155K9PACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1.5UF 6.3V 10% X5R 0603
BFP 420F E6327
RF 晶体管 (BJT) Infineon Technologies 4-SMD，扁平引线 TRANSISTOR RF NPN 4.5V TSFP-4
BFP450E6327
RF 晶体管 (BJT) Infineon Technologies SC-82A，SOT-343 TRANS NPN RF 4.5V SOT-343
C1812F224K2RACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 0.22UF 200V 10% X7R 1812
C0603X5R1A103M
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 10000PF 10V 20% X5R 0201
BR24S08FJ-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 8KBIT 400KHZ 8SOP
BMI-S-203-F
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） BOARD SHIELD 1.032X1.032" FRAME
C0805C273J5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.027UF 50V 5% X7R 0805
C0603C159C1GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 1.5PF 100V NP0 0603
C1812F474K5RACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 1812
C0603X5R1A104K
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.1UF 10V 10% X5R 0201
BR24S16FJ-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8SOP
C0805C273J8RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.027UF 10V 5% X7R 0805
BMI-S-204-C
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 0805（2012 公制） BOARD SHIELD 1.26X1.26" COVER
BFP 450 E6433
RF 晶体管 (BJT) Infineon Technologies SC-82A，SOT-343 TRANSISTOR NPN RF 4.5V SOT-343

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